Перегляд за Автор "Гребенник, И.П."

Зараз показуємо 1 - 8 з 8

Анализ концентрационных зависимостей в трехкомпонентных вакуумных конденсатах
(1999) Андронов, В.М.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Выполнен анализ концентрационных зависимостей составов трёхкомпонентных вакуумных конденсатов по производным dz/dt, где z,t- ортогональные координаты точек в концентрационном треугольнике, связанные с концентрациями с, соотношениями z = c2 sin 60°, t = 1 - c1 - c2 cos 60° Предложены способы получения трёхкомпонентных сплавов, соответствующих квазибинарным сечениям тройной диаграммы состояния. . . . . . . . . Виконано аналіз концентраційних залежностей складів трикомпонентних вакуумних конденсатів згідно похідних dz/dt, де z,t - ортогональні координати точок у концентраційному трикутнику, зв'язані з концентраціями с співвідношеннями z = c2 sin 60°, t = 1 - c1 - c2 cos 60° Запропоновано способи одержання трикомпонентних сплавів, що відповідають квазібінарним перетинам потрійної діаграми стану. . . . . . . . . . The analysis of concentration dependencies of compositions of three-component vacuum condensates was carried out starting from the derivatives dz/dt, where z, t - orthogonal coordinates of points in side a concentration triangle that are related with concentrations c according to formulas z = c2 sin 60°, t = 1 - c1 - c2 cos 60° The method were proposed of obtaining three-component alloys corresponding to the ternary diagram of state.
Исследование взаимодействия тонких двухслойных пленок никель–арсенид галлия
(1998) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni-GaAs в зависимости от температуры при конденсации никеля на арсенид галлия. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при конденсации слоев и соотношения между их толщинами, так и от структурного состояния подложки.
Концентрационные зависимости составов трехкомпонентных вакуумных конденсатов на плоской подложке
(ХНУ имени В. Н. Каразина, 1998) Андронов, В.М.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Представлен способ описания концентрационных зависимостей трехкомпонентных вакуумных конденсатов в ортогональных координатах. Рассмотрены случаи получения сплавов при различных вариантах размещения трех испарителей и конденсации слоев на плоской подложке. Для определенных вариантов размещения испарителей показана возможность получения квазибинарных сечений трехкомпонентных сплавов широкого интервала составов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Наводиться спосіб описування концентраційних залежностей трьохкомпонентних вакуумних конденсатів в ортогональних координатах. Разглянуто випадки одержання сплавів при різних варіантах розташування трьох випарників і конденсації шарів на плоскій підкладці. Для певних варіантів розташування випарників показано можливість одержання квазибінарних перетинів трьохкомпонентних сплавів широкого интервалу складів. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A method describing the concentration dependences of ternary vaccum condensates in orthogonal coordinates is outlined. Various mutual dispositions of three evaporators for condensation of layers on a flat substrate are discussed. With certain dispositions a possibility to obtain quasi-binary cross sections of ternary alloys in a broad range of contents is predicted.
Применение квазибинарных сечений тройных сплавов для исследования смачивания галлием пленок Ag-Au-Ga
(1998) Андронов, В.М.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Получены пленки сплавов Ag-Au-Ga заданных интервалов составов и проведено исследование смачивания их тонкими слоями галлия. Обнаруженная немонотонная зависимость зоны растекания от концентрации объясняется изменением величин межфазных поверхностных энергий на границах твердое тело – жидкость – среда.
Смачивание и фазообразование в системе Pb/Ni/GaAs
(1992) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Исследовано смачивание свинцом пленок никеля переменной толщины на поверхности арсенида галлия
Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
(1999) Дукаров, С.В.; Гребенник, И.П.
Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.
Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
(1992) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.; Зото, М.С.; Сорокина, И.В.
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs
(1997) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni— GaAs в зависимости от температуры при конденсации Ni на GaAs. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при взаимодействии слоев Ni и GaAs, так и от соотношения между массами слоев Ni и GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Наводяться результати електронографічного дослідження фазового складу двошарових плівок Ni— GaAs в залежності від температури при конденсації Ni на GaAs. Покачано, що структура та число фаз, що утворюються, залежать як від температурних умов при взаємодії шарів Ni і GaAs, так і від співвідношення між масами шарів Ni і GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . The electronographic studies of double layer Ni — GaAs films’ phase content against the temperature with Ni layer deposited on GaAs substrate are given. The structure and the number of phases formed are shown to be dependent both on the temperature conditions under which Ni and GaAs layers interact and on the Ni to GaAs mass ratio: (0.5; 1; 2).