Перегляд за Автор "Клименко, О.А."

Зараз показуємо 1 - 3 з 3

Влияние отрицательной дифференциальной проводимости и инерционности на коэффициент преобразования частоты диодами на основе GAAS
(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.
Исследуется коэффициент преобразования частоты (КПЧ) диодами с междолинным переносом электронов на основе GaAs в широком диапазоне частот. Показано, что при пороговых напряжениях КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) больше КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) (отсутствие ОДП) в 5 раз. При дальнейшем увеличении напряжения отношение КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) к КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) уменьшается (при 10 - 12 кВ/см составляет порядка 2, а при 20 - 30 кВ/см отношения КПЧ близко к единице). Учтена инерционность перераспределения электронов между долинами зоны проводимости GaAs. Показано, что преобразование частоты на проводимости диодов из GaAs возможно на частотах, превосходящих максимальную частоту генерации диодов в режиме однородного поля.
Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
(Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.
Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.
Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
(Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина, 2011) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.