Надплинність електрон-діркових пар у тонких плівках топологічного діелектрика
Гермаш К.В.(науковий керівник — д.ф.м.н. Філь Д.В.)

  Топологічний діелектрик(ТД) — це матеріал, який всередені(в об’ємі) є звичайний діелектриком, а на його поверхні існують енергетичні рівні, завдяки яким по поверхні може текти електричний струм. Прикладами таких речовин є:  Bi2Se3,  Bi2Te3,  Sb2Te3. ( див. Наприклад [1] ). У роботі [2] виникла ідея спарювання електронів з однієї поверхні та дірок з іншої. Розвиваючи цю ідею ми розглядали випадок спарювання електронів та дірок з різних поверхонь ТД для двох просторових структур: ТД на підкладці зі звичайного діелектрика(Д) та гетероструктура ТД — Д — ТД. Перпендикулярно нашим структурам прикладається магнітне поле, тому на поверхнях ТД виникають енергетичні рівні Ландау. Ми розглядали спарювання на нульовому рівні Ландау. За деяких умов електрон з однієї поверхні та дірка з іншої можуть створити зв’язаний стан(бозе-квазічастинка). Таким чином виникає двомірний газ таких квазічастинок. Рух такої квазічастинки еквівалентний двом рівним за модулем, але різним за напрямком електричним струмам на різних поверхнях. При деякій температурі цей двомірний газ може перейти у надплинний стан. Використовуваний формалізм аналогічний розвиненому в [3].
  Було проведено чисельний розрахунок і знайдені критичні значення відстані між поверхнями ТД як функції діелектричної проникності  та температури надплинного переходу(температура переходу двомірного газа електрон-діркових пар у надплинний стан) як функції магнітного поля.