Дукаров, С.В.Гребенник, И.П.2016-01-242016-01-241999Дукаров С.В. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs / С.В. Дукаров, И.П. Гребенник // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10). – С. 97–103.https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11149Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.ruThin filmsgallium arsenidecrystal structureResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesArticle