Дефектність кристалічної структури, морфологія площин двійникування і резистивні властивості ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 у нормальному стані - Завгородній, А.А.; Оболенський, М.О.; Вовк, Р.В.; Гулатіс, І.Л.; Самойлов, О.В.; Бондаренко, О.В. (Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2009)
В роботі проведено комплексне дослідження структурних і електрорезистивних параметрів ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 при заміні ітрія на гольмій і слабкому (до 5 % ) допуванні алюмінієм. Встановлено, що, як і у випадку бездомішкових зразків, структура монокристалів, після безпосереднього вирощування з розчин-розплаву, має структуру близьку до тетрагональної. В процесі додаткового насичення киснем спостерігається сегнетоеластичний перехід до орторомбічної фази, що супроводжується утворенням доменної двійникової структури. Межі двійників і домішки алюмінію є ефективними центрами розсіювання нормальних носіїв. Твідова структура при концентрації алюмінію y≤0,5 не утворюється. In present work of the structural and electroresistive parameters of HTSC 1-2-3 single crystals at replacement of yttrium on holmium and weak (to 5 % ) aluminium dope are investigated. It is shown that, as well as in the case of pure samples, the structure of crystals, after growing from solution-fusion, has a structure near to tetragonal. In the process of additional satiation oxygen is segnetoelastic transition to the orthorhombic phase, that is accompanied by formation of domain tween boundaries structure. The scopes of twins and admixtures of aluminium are the effective centers of dispersion of normal carriers. Tweed structure during concentration of aluminium in y≤0.5 does not appear.
Keywords: HTSC; RеBa2Cu3O7-δ single crystals; tween boundaries; dope; normal carriers; ВТНП; монокристали RеBa2Cu3O7-δ; межі двійників; допування; нормальні носії