Юнакова, О.Н.Милославский, В.К.Коваленко, Е.Н.2012-11-282012-11-282008Оптика и спектроскопия, 2008, том 105, № 6, с. 984–988.; Optics and Spectroscopy, 2080, Vol. 105, No. 6, pp. 903–907.0030-400Xhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7114Исследован спектр поглощения тонких пленок K2ZnI4 в области спектра 3-6 эВ при температурах 90-340 K. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные электронные возбуждения локализованы в структурных слоях ZnI4 кристаллической решетки и носят квазидвумерный (2D) характер. На основании изучения спектров установлено существование двух модификаций K2ZnI4, принадлежащих по предположению к моноклинной (I) и орторомбической (II) фазам. По температурным зависимостям спектрального положения и полуширины низкочастотной экситонной полосы в K2ZnI4 обнаружен фазовый переход 1-го рода при 215 K в моноклинной и при 225 K в орторомбической фазах.ruОптикакафедра физической оптикиспектр поглощениятонкая пленкаK2ZnI4сегнетоэлектрикиэкситонфазовый переходЭлектронный спектр поглощения тонких пленок K2ZnI4Electronic Absorption Spectrum of Thin K2ZnI4 FilmsArticle