Вплив просторового розподілу дислокацій на високотемпературну повзучість монокристалів з ґраткою типу NaCl - Поправка, Михайло Васильович; Popravka, M. V. (Харків : Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2025)
З метою дослідження взаємодії дислокацій, що активно народжуються та рухаються в процесі високотемпературної повзучості монокристалів з ґраткою типу NaCl в умовах одноосного стискання вздовж напрямку <100>, було розроблено модель тривимірної дислокаційної динаміки. Ця модель розширяє існуючу модель двовимірної дислокаційної динаміки та враховує взаємодію дислокаційних сегментів з утворенням сидячих дислокацій, площина ковзання яких не є площиною легкого ковзання в монокристалах з ґраткою типу NaCl. Аналітично досліджено взаємодію двох перпендикулярних сегментів дислокаційних ліній в умовах можливого протікання реакції між ними з утворенням сидячої дислокації. Промодельовано взаємодію дислокацій різних сімейств, що утворюються при одноосному стисканні монокристалів з ґраткою типу NaCl вздовж напрямку<100>. Сидячі дислокації, що утворились в результаті реакції, перешкоджають подальшому руху дислокацій та зменшують швидкість повзучості.

A three-dimensional dislocation dynamics model has been developed to study the interaction of dislocations actively nucleating and moving in the process of high-temperature creep of single crystals with a NaCl lattice under uniaxial compression along the <100> direction. This model extends the existing model of two-dimensional dislocation dynamics and takes into account the interaction of dislocation segments with the formation of sessile dislocations, the sliding plane of which is not the plane of easy sliding in single crystals with a NaCl lattice. The interaction of two perpendicular segments of dislocation lines under the conditions of a possible reaction between them with the formation of a sessile dislocation is analytically investigated. The interaction of dislocations of different families formed under uniaxial compression of monocrystals with a NaCl lattice along the direction the <100> direction. Sessile dislocations formed as a result of the reaction prevent further movement of dislocations and reduce the creep rate.
Influence of the spatial distribution of dislocations on the high-temperature creep of single crystals with a NaCl lattice
Науковий керiвник: Богданов В. В., кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри фізики кристалів
Keywords: NATURAL SCIENCES::Physics; дислокації; внутрішні напруження; високотемпературна повзучість; комп’ютерне моделювання; dislocations; internal stresses; high-temperature creep; computer modeling