Гладких, Н.Т.Гребенник, И.П.Дукаров, С.В.Зото, М.С.Сорокина, И.В.2016-01-142016-01-141992Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11126Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.ruThin filmsgallium arsenidecrystal structureResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesArticle