Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs - Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.; Зото, М.С.; Сорокина, И.В. (My University, 1992)
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
Keywords: Thin films; gallium arsenide; crystal structure; Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces