Прохоров, Э.Д.Боцула, О.В.Клименко, О.А.2012-12-022012-12-022011Вестникhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7152Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.ruотрицательная дифференциальная проводимостьтуннельная границадиодтуннелированиеArticle