Вовк, Р.В.Оболенський, М.О.Завгородній, А.А.Корсунський, О.М.2011-10-242011-10-242008Некогерентний електротранспорт і псевдощілина в монокристалах Но1Ba2Cu3O7-δ з різним вмістом кисню / Р.В. Вовк, М.О. Оболенський, А.А. Завгородній, О.М. Корсунський // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2008. – № 823. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 3(39). – С. 110 - 112https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/4875У роботі досліджені температурні залежності поперечного електроопору монокристалів Но1Ba2Cu3O7-δ з різним вмістом кисню. Виявлено, що у разі сполуки Но1Ba2Cu3O7-δ, на відміну від Y1Ba2Cu3O7-δ, при збільшенні дефіциту кисню відбувається посилення процесів локалізації носіїв, яке супроводжується переходом від ПЩ–режиму до режиму стрибкової провідності із змінною довжиною стрибка. The temperature dependences of transversal electro-resistance of Но1Ва2СuзО7-х single crystals with different oxygen content have been investigated. It is shown that in the case of the connection Но1Ва2СuзО7-х, unlike Y1Ва2СuзО7-х, at the increase of deficit of oxygen there is strengthening of processes of localization of carriers, which is accompanied by transition from the PG–mode to the mode of conductivity with variable length hopping.ruHTSCpseudogapНо1Ва2СuзО7-х single crystalsincoherent transporttransversal conductivitylocalization of carriersВТНПпсевдощілинанекогерентний електротранспортмонокристали Но1Ba2Cu3O7-δпоперечна провідністьлокалізація носіївArticle