Сухов, Р.В.Миненков, А.А.Крышталь, А.П.2011-07-122011-07-122010Сухов Р.В. Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке / Р.В. Сухов, А.А. Миненков, А.П. Крышталь // Фізична інженерія поверхні. – 2010. – Том 8, № 3. – С. 265 – 270https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/3868На основании электронно-микроскопических исследований слоистых пленочных систем эвтектического типа Ge-Au построена размерная зависимость температуры кристаллизации жидкой фазы эвтектического состава в контакте с аморфной германиевой подложкой. Измеренный угол смачивания и величина переохлаждения жидкой фазы в системе хорошо коррелируют с эмпирической зависимостью величины переохлаждения при кристаллизации от степени взаимодействия с подложкой. В результаті електронно-мікроскопічних досліджень шаруватих плівкових систем евтектичного типу Ge-Au побудована розмірна залежність температури кристалізації рідкої фази евтектичного складу у контакті з аморфною германієвою підкладкою. Виміряний кут змочування та величина переохолодження рідкої фази в системі добре узгоджуються з емпіричною залежністю величини переохолодження при кристалізації від рівня взаємодії з підкладкою. Size dependence of the crystallization temperature of Ge-Au eutectic in contact with amorphous Ge substrate has been determined on the basis of electron microscopy studies of Ge-Au layered film systems. The values of supercooling upon crystallization and wetting angle of liquid phase in Ge-Au system have been evaluated and compared with empirical dependence available in literature.ruкристаллизацияэвтектикагерманийзолотопленкаArticle