Прохоров, Э.Д.Боцула, О.В.Клименко, О.А.2012-12-022012-12-022010Вестникhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7207Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.ruGaAs-диод с туннельной границейвольтамперные характеристикиэффективность генерацииArticle