Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs - Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А. (Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина, 2010)
Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.
Вольтамперні характеристики і ефективність генерації
Keywords: GaAs-диод с туннельной границей; вольтамперные характеристики; эффективность генерации