Некогерентний електротранспорт в монокристалах Y1-zPrzBa2Cu3O7–δ з різним вмістом празеодиму

Abstract

У роботі досліджено температурні залежності електроопору вздовж осі с монокристалів Y1-zPrzBa2Cu3O7–δ з різним вмістом празеодиму 0.0  z  0.5. Виявлено, що у разі сполуки Y1-zPrzBa2Cu3O7–δ при збільшенні концентрації празеодиму відбувається посилення процесів локалізації носіїв, яке супроводжується переходом від ПЩ-режиму до режиму стрибкової провідності зі змінною довжиною стрибка.

In the present work the temperature dependence of the resistivity, along the c-axis is investigated in Y1-zPrzBa2Cu3O7–δ single crystals, with different praseodymium content 0.0  z  0.5. It is determined that, that in case of Y1-zPrzBa2Cu3O7–δ compaunds with the incrision of the praseodymium contents, there is an increase of the processes of the carrier localization. This in turn accompanies the transition from a pseudogap regime to the variable-range- hopping regime.