Interaction in Ga - AgAu thin film system

Abstract

Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . . Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).