Температурна залежність опору NbSe2 в полях до 8 Тесла

Abstract

У цій роботі визначено температурну залежність верхніх критичних магнітних полів нецентросиметричного надпровідника 4Ha-NbSe2. Для цього були виміряні поздовжній та поперечний електричні опори монокристалів у інтервалі температур поблизу надпровідного переходу за наявності зовнішнього магнітного поля до 8 Тл. Отримані експериментальні дані проаналізовано за допомогою лінійного наближення, а також у рамках теоретичних моделей Гінзбурга–Ландау та Вертхамера–Гельфанда–Гоенберга. У разі прикладання магнітного поля паралельно площині ab-кристала верхнє критичне магнітне поле майже утричі перевищує межу Паулі. Параметр анізотропії, визначений як відношення поперечної та поздовжньої довжин когерентності, виявився досить великим і оцінюється приблизно у шість відповідно до лінійного наближення, яке дає найменше значення серед трьох розглянутих підходів.

In this work, we determine the temperature dependence of the upper critical fields of the noncentrosymmetric superconductor 4Ha-NbSe2. To accomplish this, the in-plane and out-of-plane electrical resistances of single crystals were measured near the superconducting transition under applied magnetic fields up to 8 Т. The resulting experimental data were analyzed using a simple linear fit as well as the Ginzburg–Landau and Werthamer–Helfand–Hohenberg theoretical approaches. When the magnetic field is applied parallel to the ab-plane of the crystal, the upper critical magnetic field exceeds the Pauli limit by nearly a factor of three. The anisotropy parameter, defined as the ratio of the out-of-plane to in-plane coherence lengths, is found to be relatively large and is estimated to be approximately six according to the linear fit, which gives the lowest value among the three fitting methods considered.