Питомий електричний опір квазікристалів Ti–Zr–Ni в широкій області температур

Abstract

У роботі вивчено електричний опір ікосаедричних квазікристалів Ti41.5Zr41.5Ni17 у температурному інтервалі між 0.3 та 300 K у зразках різної якості. У температурному інтервалі 0.3–2 K було досліджено вплив зовнішнього магнітного поля до 16 kOe на надпровідний перехід у цих матеріалах. Температурна залежність опору в області надпровідного переходу виявилася ступінчастою, що пов'язано з наявністю декількох надпровідних квазікристалічних фаз. Температурну залежність Нс2 апроксимовано в припущенні відчутного впливу парамагнетизму. Вище надпровідного переходу спостерігається мінімум опору, який пов`язано з наявністю слабкої локалізації електронів при низьких температурах. При ще вищих температурах опір зразків визначається розсіюванням носіїв заряду на дефектах та фононах. Фононний внесок досить малий та може бути апроксимованим співвідношенням Блоха Грюнайзена.

The work studied the electrical resistance of icosahedral quasicrystals Ti41.5Zr41.5Ni17 in the temperature range between 0.3 and 300 K in samples of different quality. In the temperature range 0.3–2 K, the effect of an external magnetic field of up to 16 kOe on the superconducting transition in these materials was investigated. The temperature dependence of the resistance in the region of the superconducting transition turned out to be stepwise, which is associated with the presence of several superconducting quasicrystalline phases. The temperature dependence of Hc2 was approximated assuming a significant effect of paramagnetism. Above the superconducting transition, a minimum of resistance is observed, which is associated with the presence of weak localization of electrons at low temperatures. At even higher temperatures, the resistance of the samples is determined by the scattering of charge carriers on defects and phonons. The phonon contribution is quite small, and can be approximated by the Bloch-Grüneisen relation.