Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПрохоров, Э.Д.
dc.contributor.authorБоцула, О.В.
dc.contributor.authorКлименко, О.А.
dc.date.accessioned2012-12-02T23:46:32Z
dc.date.available2012-12-02T23:46:32Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractИсследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.en
dc.identifier.citationВестникen
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7207
dc.language.isoruen
dc.publisherХарьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразинаen
dc.relation.ispartofseriesРадиофизика и электроника;942
dc.subjectGaAs-диод с туннельной границейen
dc.subjectвольтамперные характеристикиen
dc.subjectэффективность генерацииen
dc.titleВольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAsen
dc.title.alternativeВольтамперні характеристики і ефективність генераціїen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
942-11.pdf
Розмір:
468 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Наукові роботи. Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем