Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films

dc.contributor.authorGrebennik, I.P.
dc.contributor.authorGladkikh, N.T.
dc.contributor.authorDukarov, S.V.
dc.date.accessioned2015-12-12T18:51:30Z
dc.date.available2015-12-12T18:51:30Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractThe temperature and structure state of substrate (NaCl poly- and single crystals) are shown to influence the structure of phases formed as a result of interaction between Ni and GaAs layers. In films on polycrystal substrates, polycrystal phases with structures similar to the γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4 phases in Ni-Ga and Ni-As systems are formed besides the amorphous one. Single crystal substrate exerts an orienting influence resulting in the energetically favourable growth of the hexagonal phase of the triple system with parameters aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Показано, что температура и структурное состояние подложки (поли- и монокристаллов NaCl) оказывает влияние на структуру фаз, образующихся при взаимодействии слоев Ni и GaAs. На поликристаллических подложках в пленках, наряду с аморфной, образуются поликристаллические фазы, структура которых подобна фазам γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4, в системах Ni-Ga, Ni-As. Монокристаллическая подложка оказывает ориентирующее действе и приводит к энергетически более выгодному росту гексагональной фазы тройной системы с параметрами aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'.ru_RU
dc.identifier.citationGrebennik I.P., Gladkikh N.T., Dukarov S.V. Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films // Functional materials. – 1998. – V.5, № 1. – С. 44–47.ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11054
dc.language.isoen_USru_RU
dc.publisherSTC “Institute for Single Crystals”ru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectgallium arsenideru_RU
dc.subjectcrystal structureru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleEffect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs filmsru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
FM1998.pdf
Розмір:
511.82 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: