Вплив перерозподілу лабільного кисню на температурну залежність псевдощілини в монокристалах НоВа2СuзО7-δ з дефіцитом кисню

Abstract

У роботі досліджено вплив відпалювання при кімнатних температурах на надлишкову провідність монокристала НоВа2СuзО7-δ з відхиленням від стехиометрії по кисню. Виявлено, що у процесі відпалювання протягом до пяти діб відбувається істотне розширення інтервалу лінійної залежності ρab(Т) і звуження температурної ділянки реалізації псевдощілинного режиму. При цьому надлишкова провідність підкоряється експоненціальній температурній залежності у широкому інтервалі температур, а температурна залежність псевдощілини - задовільно описується в рамках теорії кросовера БКШ-БЕК. В работе исследовано влияние отжига при комнатных температурах на избыточную проводимость монокристалла НоВа2СuзО7-δ с отклонением от стехиометрии по кислороду. Обнаружено, что в процессе отжига в течение до пяти суток происходит существенное расширение интервала линейной зависимости ρab(Т) и сужение температурного участка реализации псевдощелевого режима. При этом избыточная проводимость подчиняется экспоненциальной температурной зависимости в широком интервале температур, а температурная зависимость псевдощели - удовлетворительно описывается в рамках теории кроссовера БКШ-БЭК. Effect of annealing at room temperatures on excess conductivity of НоВа2СuзО7-δ single crystal with deviation from oxygen stoichiometry. It is shown that in the process of five days annealing there is substantial expansion of linear interval of dependence ρab(Т) and narrowing of temperature area of the pseugap regime. The exess conductivity submits exponential temperature dependence in the wide temperature interval. The temperature dependence of pseudogap satisfactorily described by BCSh-BEK theoretical model.