Діоди Ганна на основі варизоннних структур InBN і GaBN

Abstract

У роботі розглянуті енергетичні характеристики діодів Ганна на основі варизоннних структур InBN і GaBN, діоди n+–n–n+ структур на основі потрійних варизонних сполук InN-InBN-InN та GaN-GaBN-GaN. За допомогою чисельних експериментів отримано оптимізовані по напрузі залежності ефективності НВЧ генерації від частоти для різних значень довжин активної області і варизонного шару, а також оптимальний розподіл бінарної складової BN в діодах.GaN and InN semiconductors of wurtzite modification, diodes of n+–n–n+ structures based on triple varison compounds InN-InBN-InN and GaN-GaBN-GaN are considered in the work. With the help of numerical experiments, voltage-optimized dependences of the efficiency of microwave generation on frequency were obtained for different values varison of the lengths of the active region and the varison layer, as well as the optimal distribution of the binary component of BN in diodes.