Наукові роботи. Фізичний факультет
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/30
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi(2004) Богатыренко, С.И.; Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Крышталь, А.П.Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке. . . . . . . . . Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системі знижується зі зменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці. . . . . . . . . The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.Документ Размерный эффект при кристаллизации малых частиц висмута(1998) Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Крышталь, А.П.; Ларин, В.И.Электронно-микроскопически исследована размерная зависимость темпера-туры кристаллизации малых частиц висмута, полученных конденсацией из паровой фазы на аморфные углеродные подложки. Установлено, что в интервале размеров частиц 2–10 нм температура кристаллизации понижается с уменьшением размеров частиц, а величина переохлаждения обращается в нуль для частиц размером 2–3 нм. Результаты проанализированы в рамках классической теории кристаллизации и показано, что для частиц минимальных размеров реализуется размерное явление: изменение характера фазового перехода жидкость – кристалл. - - - - - - - - - - - Electron microscopy was used to study the dependence of the crystallization temperature on the particle size upon solidification of small bismuth particles produced by vapor deposition on substrates of amorphous carbon. The crystallization temperature for particles 2–100 nm in diameter was found to decrease with decreasing diameter of the particles; and for particles 2–3 nm in diameter, supercooling was equal to zero. The results were analyzed within the classic theory of solidification; it was shown that, for the smallest particles, a size effect consisting in the change of the character of the liquid-crystal phase transition is observed.