Наукові роботи. Фізичний факультет
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/30
Переглянути
4 результатів
Результати пошуку
Документ Переохлаждение при кристаллизации жидкой фазы легкоплавкого компонента в многослойных пленках с различным характером взаимодействия контактных пар(2016) Петрушенко, С.И.; Дукаров, С.В.; Сухов, В.Н.Проведено исследование переохлаждения при кристаллизации жидкой фазы олова и индия в многослойных пленках на основе меди и молибдена. При помощи in situ метода измерения электросопротивления определены величины переохлаждений в данных системах. Показано, что метод измерения электросопротивления чувствителен ко многим процессам, происходящим в многослойных бинарных системах, однако уверенное определение температур фазовых переходов плавление-кристаллизация возможно только для контактных пар с простым типом взаимодействия и отсутствием химических соединений. Ключевые слова: переохлаждение при кристаллизации, многослойные пленки, плавление-кристаллизация. . . . . . . . . . . . . The study of supercooling during the crystallization of the liquid phase of tin and indium in multi layer films based on copper and molybdenum has been carried out. Using the in situ method of measuring the electrical resistance, the values of supercooling have been determined in the given systems. It is shown that the electrical resistance measurement method is sensitive to many processes occurring in multilayered binary systems, however, a reliable determination of phase transition temperature melting-crystallization is possible only for the contact pairs with a simple type of interaction and the absence of chemical compounds. . . . . . . . . Проведено дослідження переохолодження під час кристалізації розплаву олова та індію у багатошарових плівках на основі міді та молібдену. За допомогою in situ методу вимірювання електричного опору визначені величини переохолодження у цих системах. Показано, що метод вимірювання електричного опору є чутливим до багатьох процесів, що спостерігаються у багатошарових бінарних системах, але надійно визначати температури фазових перетворень плавлення-кристалізація можливо лише у контактних парах з простим типом взаємодії та відсутністю хімічних сполук.Документ Переохлаждение при кристаллизации металлов в островковых вакуумных конденсатах(1994) Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Сухов, В.Н.Приводятся результаты исследований переохлаждения при кристаллизации островковых пленок ряда металлов (Au, In, Bi, Pb, Sn, Fe, Co, Ni) на различных подложках. Рассматривается влияние различных физико-химических факторов, таких как давление остаточных газов и скорость конденсации при препарировании пленок, материал подложки, на величину переохлаждения. Установлено, что для исследованных металлов на несмачиваемых нейтральных подложках в условиях, когда сведено к минимуму влияние примесей из остаточной атмосферы, величины относительных переохлаждений приближаются к предельному значению, составляющему немногим менее 0,4 температуры плавления. Полученные результаты анализируются в рамках классической теории кристаллизации.Документ Механизм конденсации при формировании пленок AgCl и NaCl на никелевой подложке(2009) Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Сухов, В.Н.Приводятся результаты исследований переохлаждения при кристаллизации жидкой фазы в островковых вакуумных конденсатах хлоридов серебра и натрия на никелевых подложках. Установлено, что смена механизма конденсации от пар-кристалл к пар-жидкость при осаждении пленок этих химических соединений наблюдается при температурах подложки ниже температуры их плавления. Определены величины переохлаждений при кристаллизации островковых пленок исследуемых веществ на никелевой подложке, которые составили 95 и 369 К для AgCl и NaCl, соответственно. - - - - - - - - - - The paper presents the results of exploring the supercooling under crystallization of the AgCl and NaCl liquid phase in the islands condensed to Ni substrate in vacuum. It is established that the change of the mechanism of condensation from vapour-crystal to vapour-liquid at the deposition of the films of these chemical compounds is observed when the temperatures of the substrate is lower than their melting temperature. The values of supercooling at crystallization on the nickel substrate of island films of substances under study are determined, which make 95 K for AgCl and 369 K for NaCl, respectively.Документ Переохлаждение при кристаллизации висмута в многослойных плёнках Cu-Bi-Cu и C-Bi-C(ХНУ имени В.Н.Каразина, НФТЦ МОН и НАНУ, 2013) Дукаров, С.В.; Петрушенко, С.И.; Сухов, В.Н.; Чурилов, И.Г.В работе методами измерения электросопротивления и in situ электронографии проведено исследование фазовых переходов плавление-кристаллизация в тонких слоях висмута, находящихся между сплошными толстыми плёнками меди и углерода. Определены величины предельного переохлаждения жидкой фазы в исследуемых слоистых системах. Обнаружены различия в кинетике кристаллизации расплава висмута в медной и углеродной матрицах, обусловленные различным контактным взаимодействием компонентов. У роботі методами вимірювання електричного опору та in situ електронографії проведено дослідження фазових перетворень плавлення-кристалізація в тонких шарах вісмуту, що знаходяться між суцільними товстими плівками міді та вуглецю. Визначено величини максимального переохолодження рідкої фази в досліджуваних багатошарових плівках. Виявлено відмінності у кінетиці кристалізації розплаву вісмуту у мідній та вуглецевій матрицях, обумовленні різною взаємодією компонентів. The paper, with the methods of measurement of electrical resistance and in situ electron diffraction, was studied the phase transitions melting-crystallization in thin layers of bismuth, that are located between thick continuous films of copper and carbon. It has been determined the value of limiting supercooling during the crystallization of bismuth in contact with copper and carbon. There has been detected the differences in the kinetics of crystallization of a melt of bismuth in the copper and carbon matrixes which are caused by the various contact interaction of the components.