Наукові роботи. Фізичний факультет
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/30
Переглянути
16 результатів
Результати пошуку
Документ Temperature dependence of surface energy of solids(STC “Institute for Single Crystals”, 1994) Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.; Larin, V.I.The surface energy of a number of solid metals (In, Sn, Bi, Pb and Au) is determined in the temperature range (0.6-1)Ts from the size dependence of melting temperature for small particles of these metals. A nonlinear decreasing of surface energy is established in the region of premelting temperatures that is attributed to the increase of the vacancy concentration. The obtained data are compared with available ones for massive samples. . . . . . . . . . . . . . . . . . Определена поверхностная энергия металлов In, Sn, Bi, Pb и Au в твердой фазе в интервале температур (0.6-1)Ts по данным зависимости температуры плавления малых частиц этих металлов от их размера. Установлено нелинейное уменьшение поверхностной энергии я области яредллавильных температур, которое объясняется увеличением концентрации вакансий. Проведено сравнение полученных результатов с имеющимися данными для массивных образцов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Визначено поверхневу енергію металів In, Sn, Bi, Pb та Au в твердій фазі в інтервалі температур (0.6-1)Ts за даними залежності температури плавлення малих частинок цих металів від їх розміру. Встановлено нелінійне зменшення поверхневої енергії в області передплавильних температур, яке пояснюється збільшенням концентрації вакансій. Проведено порівняння одержаних результатів з наявними даними для масивних зразків.Документ Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films(1998) Gladkikh, N.T.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.The results of an electronographic investigation of the Ni—GaAs double-layer films phase composition depending on temperature at condensation of Ni at GaAs are presented. The structure and number of the phases being formed have been shown to depend both on ther-mal conditions at interaction of the Ni and GaAs layers and on the Ni to GaAs layer mass ratio: mNi//mGaAs = (0.5; 1.2).Документ Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films(STC “Institute for Single Crystals”, 1998) Grebennik, I.P.; Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.The temperature and structure state of substrate (NaCl poly- and single crystals) are shown to influence the structure of phases formed as a result of interaction between Ni and GaAs layers. In films on polycrystal substrates, polycrystal phases with structures similar to the γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4 phases in Ni-Ga and Ni-As systems are formed besides the amorphous one. Single crystal substrate exerts an orienting influence resulting in the energetically favourable growth of the hexagonal phase of the triple system with parameters aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Показано, что температура и структурное состояние подложки (поли- и монокристаллов NaCl) оказывает влияние на структуру фаз, образующихся при взаимодействии слоев Ni и GaAs. На поликристаллических подложках в пленках, наряду с аморфной, образуются поликристаллические фазы, структура которых подобна фазам γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4, в системах Ni-Ga, Ni-As. Монокристаллическая подложка оказывает ориентирующее действе и приводит к энергетически более выгодному росту гексагональной фазы тройной системы с параметрами aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'.Документ g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Dukarov, S.V.When GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . . При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ.Документ Features of gallium spreading over surfaces of Ag - Au - Ga thin films(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Andronov, V.M.; Dukarov, S.V.; Grebennik, I.P.Linear spread of gallium over thin films of Ag-Au-Ga ternary alloys with continously varying concentrations along quasi-binary sections of the ternary diagram has been studied. The observed concentration dependence of the spread zone size is attributed to structural changes occurring in alloys and resulting in an unmonotonous dependence of the spread motive force on the alloy composition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Исследовано линейное растекание галлия по поверхности тонких пленок тройных сплавов серебро-золото-галлий с непрерывно изменяющейся концентрацией вдоль квазибинарных сечений тройной диаграммы. Обнаруженная немотонная зависимость размера зоны растекания от концентрации объясняется влиянием происходящих в сплавах структурных изменений, приводящих к немонотонной зависимости движущей силы растекания от состава сплава.Документ Interaction in Ga - AgAu thin film system(STC “Institute for Single Crystals”, 1999) Andronov, V.M.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . . Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).Документ Lead wetting of thin nickel films deposited onto GaAs(STC “Institute for Single Crystals”, 1996) Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.The wetting of nickel films deposited onto (111) face of GaAs single crystals with island lead condensates has been studied. The wetting angle, θ, is found to depend on the Ni film thickness, t, and to change within the limits defined by wetting of pure GaAs (t = 0, θ ≈ 120°) and compact-state nickel wetting (t > 20 nm, θ ≈ 20°). The change of θ is explained as due to the surface heterogeneity arising as a result of chemical interaction between nickel film and gallium arsenide and of nickel dissolution in the liquid lead. - - - - - - - - - - - - - - - - Изучено смачивание островковыми конденсатами свинца пленок никеля, нанесенных на монокристалл арсенида галлия (грань (111)). Установлено, что краевой угол θ зависит от толщины t пленки Ni и изменяется в крайних пределах, соответствующих смачиванию чистого GaAs (t = 0, θ ≈ 120°) и смачиванию никеля в компактном состоянии (t > 20 nm, θ ≈ 20°). Изменение θ объясняется гетерогенностью смачиваемой поверхности, возникающей в результате химического взаимодействия пленки никеля с арсенидом галлия и растворения никеля в жидком свинце.Документ Supercooling during metal crystallization under conditions close to weightlessness using island vacuum condensates(1996) Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.; Sukhov, V.N.Island vacuum condensates the properties of which are determined by surface phenomena rather than the force of gravity actually permit to eliminate the effect of alien impurities and own oxides on supercooling ΔT during crystallization. Their application also allows to measure the dependence of ΔT on the contact angle θ between a droplet of a liquid metal and the substrate on which condensation and subsequent crystallization occur. For the metals under study (Au, In, Bi, Pb, Sn, Fe, Co, Ni) the supercooling ΔT is shown to increase with the angle θ growing. With wetting angles θ > 130 ° the supercooling ΔT does not depend anymore on the substrate material and for θ → 180° it approaches a value somewhat below 0.4 Ts, where Ts is the bulk melting temperature.Документ Heteronanoparticles of silicon dioxide with shell of Pt nanocrystals(STC “Institute for Single Crystals”, 2008) Matveevskaya, N.A.; Dobrotvorskaya, M.V.; Dukarov, S.V.; Kolupaeva, Z.I.The results of preparation and study of core-shell heteronanoparticles are represented based on monodisperse spherical SiO2 colloidal particles of 40, 120, 250, and 350 nm diameter and shell consisting of Pt nanocrystals. The heteronanoparticles surface structure and composition have been studied by transmission electron microscopy, photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. - - - - - - - - - - - Приведены результаты по получению и изучению свойств гетеронаночастиц типа "ядро-оболочка" на основе монодисперсных сферической формы коллоидных частиц SiO2 диаметром 40, 120, 250 и 350 нм и оболочкой из нанокристаллов Pt. Методами просвечивающей электронной микроскопии, фотоэлектронной спектроскопии и рентгеновской дифракции исследованы состав и структура поверхности гетеронаночастиц. - - - - - - - - - - - Подано результати з одержання та вивчення властивостей гетеронаночастинок типу "ядро-оболонка" на основі монодисперсних сферичної форми колоїдних наночастинок SiO2 діаметром 40, 120, 250 та 350 нм та оболонкою з нанокристалів Pt. Методами просвічуваючої електронної мікроскопії, фотоелектронної спектроскопії та рентгенівської дифракції досліджено склад та структуру поверхні гетеронаночастинок.Документ SiO2/Au core-shell nanoparticles: synthesis and characterization(STC “Institute for Single Crystals”, 2005) Matveevskaya, N.A.; Tolmachev, A.V.; Pazura, Yu.I.; Savvin, Yu.N.; Dukarov, S.V.; Semynozhenko, V.P.Preparation of heteronanoparticles of the core-shell type has been described based on single-dispersed spherical nanoparticles of silicon dioxide and gold. Using the colloid chemistry techniques, nanoparticles having different dielectric core diameters and different metal shell thickness have been obtained. The effect of the nanoparticle structure on the absorption spectra thereof has been investigated. The maximum position in the absorption spectra has been shown to be defined by dielectric core diameter ratio to the gold shell thickness in the SiO2/Au nanoparticles. - - - - - - - - - - - Приведены результаты по получению гетеронаночастиц типа "ядро-оболочка" на основе монодисперсных сферической формы наночастиц диоксида кремния и металлического золота. Методами коллоидной химии получены наночастицы с различным диаметром диэлектрического ядра и толщиной металлической оболочки. Изучено влияние структуры наночастиц на спектры поглощения. Показано, что отношение диаметра диэлектрического ядра к толщине золотой оболочки определяет положение максимума в спектрах поглощения гетеронаночастиц SiO2/Au. - - - - - - - - - - - Наведено результати з одержання гетеронаночастинок типу "ядро-оболонка" на основі монодисперсних сферичної форми наночастинок діоксиду кремнію та металевого золота. Методами колоїдної хімії одержано наночастинки з різним діаметром діелектричного ядра і товщиною металевої оболонки. Вивчено вплив структури наночастинок на спектри поглинання. Показано, що відношення діаметра діелектричного ядра до товщини золотої оболонки визначає положення максимуму в спектрах поглинання гетеронаночастинок SiO2/Au.