Наукові видання. Фізичний факультет
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/114
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Экситонные спектры поглощения твердых растворов сегнетоэластиков Cs2CdI4 и Rb2CdI4(Pleiades Publishing, Ltd., 2010) Милославский, В.К.; Юнакова, О.Н.; Коваленко, Е.Н.Исследованы экситонные спектры поглощения тонких пленок твердых растворов (Cs_(1-x)Rb_x)_2CdI_4 и измерен показатель преломления n в области их прозрачности в интервале х от 0 до 1. Обнаружен линейный концентрационный ход параметров экситонных полос и оптической диэлектрической проницаемости e(х). Установлены локализация экситонов в CdI2-подрешетке твердых растворов и их принадлежность экситонам промежуточной связи. Проведено сравнение характеристик экситонов в сегнетоэластиках с соответствующими характеристиками в CdI2, RbI и CsI, синтез которых формирует тройные соединения.Документ Спектры поглощения тонких пленок твердых растворов Cs_2(Cd_(1-x)Zn_x)I_4(Pleiades Publishing, Ltd., 2010) Милославский, В.К.; Юнакова, О.Н.; Коваленко, Е.Н.Впервые изучены экситонные спектры поглощения в тонких пленках твердых растворов сегнетоэластиков Cs2CdI4 и Cs2ZnI4. Обнаружено, что во всем интервале молярной концентрации х спектры Cs2(Cd1–xZnx)I4 состоят из двух полос, генетически происходящих от исходных полос двух соединений. Показано, что наиболее эффективно перенос экситонов происходит между тетраэдрами CdI4 и ZnI4 вдоль оси b кристаллов. Необычный концентрационный ход максимумов длинноволновых экситонных полос Em(x) хорошо согласуется с построенной теорией, учитывающей зависимость матричного элемента переноса экситонов между тетраэдрами от х, сходной с теорией давыдовского расщепления в молекулярных кристаллах.Документ Спектры поглощения тонких пленок тройных соединений в системе RbI–PbI2(Institute for Low Temperature Physics and Engineering (Kharkov, Ukraine) / American Institute of Physics, 2012) Юнакова, О.Н.; Милославский, В.К.; Коваленко, Е.Н.; Ксенофонтова, Е.В.Выявлено образование в системе RbI–PbI2 соединений RbPbI3 и Rb4PbI6 и исследован их спектр поглощения в интервале энергий 2–6 эВ и температур 90–500 К. Установлено, что низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в PbI6^4– структурных элементах кристаллической решетки, относятся к экситонам промежуточной связи и носят трехмерный характер в RbPbI3 и квазидвумерный характер в Rb4PbI6.