Навчально-науковий інститут "Фізико-технічний факультет"

Постійне посилання на розділhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/49

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Структурные особенности и спиновые волны в тонких пленках железо-иттриевых гранатов
    (Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2012) Кириченко, В.Г.; Коваленко, О.В.
    Представлен обзор некоторых результатов исследования формирования структур ферромагнетиков для магнитооптических устройств. Кратко рассмотрены процессы взаимодействия спиновых волн с железо-иттриевыми гранатами, в том числе в тонкопленочных структурах. Проанализированы возможности применения мессбауэровской спектроскопии при определении структуры и фазового состава феррит-гранатов и связи параметров структуры с накачкой спиновых волн. Тhe results of the study of structure formation ferromagnets for magnetooptical devices. Briefly examines the processes of interaction of spin waves with yttrium iron garnet, including thin-film structures. The possibilities of application of Mössbauer spectroscopy to determine the structure and phase composition of the garnet structure parameters and communication with the pumping of spin waves. Представлені результати дослідження формування структур феромагнетиків для магнітооптичних пристроїв. Коротко розглянуті процеси взаємодії спінових хвиль із залізо-ітрієвими гранатами, в тому числі в тонкоплівкових структурах. Проаналізовано можливості застосування мессбауеровскої спектроскопії при визначенні структури і фазового складу ферит-гранатів та зв'язку параметрів структури із накачуванням спінових хвиль.
  • Ескіз
    Документ
    Structural inhomogeneity of a garnet’s thin films
    (Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2011) Kirichenko, V.G.; Kovalenko, O.V.; Кіріченко, В.Г.; Коваленко, О.В.
    Тhe results of study of yttrium – iron garnet (YIG) thin films structure after ion-beam deposition on gadolinium gallium garnet substrate are presented. According to the data of Rutherford backscattering spectrometry of the gadolinium gallium garnet substrate structure and films layer-by-layer analysis leads us to the conclusion about variable elemental composition of substrate and YIG films. The amorphous paramagnetic films of YIG are formed on substrate surface. The iron and yttrium content is increased on the depth of films. Представлены результаты исследования процессов формирования пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) методами ионно-лучевого распыления на подложках галлий - гадолиниевого граната. Послойный анализ пленок по данным спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния приводит к выводу о переменном элементном составе подложки и пленок ЖИГ. На поверхности подложки образуются аморфные парамагнитные пленки ЖИГ. Содержание железа и иттрия увеличивается по глубине пленок. Представлені результати дослідження процесів формування плівок залізо - ітрієвого граната (ЗІГ) методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. Пошаровий аналіз плівок за даними спектрометрії резерфордовського зворотного розсіяння приводить до виводу про змінний елементний склад підкладки і плівок ЗІГ. На поверхні підкладки утворюються аморфні парамагнітні плівки ЗІГ. Вміст заліза і іттрію збільшується по глубені плівок.
  • Ескіз
    Документ
    Структура нанометрических пленок железо-иттриевого граната
    (Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2009) Кириченко, В.Г.; Коваленко, О.В.; Машкаров, Ю.Г.
    Представлены результаты исследования процессов формирования пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) методами ионно-лучевого распыления на подложках галлий - гадолиниевого граната. В результате ионно-лучевого осаждения по данным мессбауэровской спектроскопии конверсионных электронов на поверхности подложек образуются аморфные парамагнитные пленки. Послойный анализ пленок по данным спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния приводит к выводу о переменном элементном составе пленок ЖИГ. Фазовый состав неоднороден по толщине пленок. Наблюдается некоторое уменьшение содержания железа по мере стравливания поверхностных слоев пленок. Кроме того, на поверхность пленок ЖИГ при формировании диффундирует гадолиний из подложки. Представлені результати дослідження процесів формування плівок залізо - ітрієвого граната (ЗІГ) методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. В результаті іонно-променевого осадження за даними месбауерівської спектроскопії конверсійних електронів на поверхні підкладок утворюються аморфні парамагнітні плівки. Пошаровий аналіз плівок за даними спектрометрії резерфордовського зворотного розсіяння приводить до виводу про змінний елементний склад плівок ЗІГ. Фазовий склад неоднорідний по товщині плівок. Спостерігається деяке зменшення вмісту заліза у міру підбурювання поверхневих шарів плівок. Крім того, на поверхню плівок ЗІГ при формуванні дифундує гадоліній з підкладки. The results of research of processes of forming of films of yttrium - iron garnet (YIG) by the methods of ion-beam dispersion on of gadolinium- gallium garnet are presented. As a result of an ion-beam besieging from Mossbauer spectroscopy of conversion electrons data the amorphous paramagnetic films were formed. The layer analysis of films by Rutherford back scattering spectrometry result in a conclusion about variable element composition of YIG films. Phase composition is inhomogeneous by the thickness of tapes. There is some diminishing of maintenance of iron as far as setting on to fight of superficial layers of tapes. In addition, on the surface of YIG films gadolinium is diffused.
  • Ескіз
    Документ
    Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении
    (Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2010) Кириченко, В.Г.; Коваленко, О.В.
    Представлены результаты исследования процессов формирования пленок гексаферрита Ва и Bi-Gd граната методами ионно-лучевого осаждения на подложки галлий - гадолиниевого граната. В результате ионно-лучевого осаждения по данным мессбауэровской спектроскопии конверсионных электронов на поверхности подложек образуются аморфные парамагнитные пленки гексаферрита Ва, которые переходят в магнитоупорядоченное состояние при термическом отжиге. Фазовый состав неоднороден по толщине пленок. Осаждение пленок висмут - гадолиниевого граната также связано с образованием аморфных парамагнитных пленок и последующей кристаллизацией магнитоупорядоченных пленок при термическом отжиге и ионной имплантации. Наиболее эффективна ионная имплантация ионов Не+ с энергией 26 кэВ и дозой Ф=2,25∙1014 см-2, которая приводит к повороту оси легкого намагничивания в плоскость пленки.The results of research of processes of forming of films of Ba – hexaferrite and Bi-Gd garnet obtained by the methods of ion-beam deposition on of gadolinium- gallium garnets are presented. As a result of an ion-beam deposition from data of Mossbauer spectroscopy of conversion electrons the amorphous paramagnetic films of Ba – hexaferrite are formed. Phase composition is inhomogeneous on the thickness of tapes. The ion-beam deposition Ba – hexaferrite films resulted to formation of amorphous paramagnetic layers which transformed into magnetic ordering state under thermal ageing. The deposition of bismuth – gadolinium garnet films also conducted with formation of amorphous paramagnetic layers and later crystallization of magnetic ordering films under thermal ageing and ion implantation. The ion implantation of Не+ ions with energy E=26 keV and fluence Ф=2,25∙1014 сm-2 is the most effective and therefore rotated the axis of easy magnetization into film plane. Представлені результати дослідження процесів формування плівок гексаферриту Ва і Bi-Gd гранату методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. В результаті іонно-променевого осадження за даними месбауерівської спектроскопії конверсійних електронів на поверхні підкладок утворюються аморфні парамагнітні плівки гексаферриту Ва, котрі переходять у магнітно впорядкований стан при термічному відпалі. Фазовий склад неоднорідний по товщині плівок. Осадження плівок вісмут- гадолиниевого граната також пов'язане з утворенням аморфних парамагнітних плівок і наступною кристалізацією магнітовпорядкованих плівок при термічному відпалі й іонної імплантації. Найбільш ефективна іонна імплантація іонів Не+ з енергією 26 кэв і дозою Ф=2,25∙1014 см-2, що приводить до повороту осі легкого намагнічювання у площину плівки.
  • Ескіз
    Документ
    Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
    (Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010) Борисенко, Ю.Н.; Береснев, В.М.; Литовченко, С.В.; Шевцов, А.Б.
    Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это объясняется выходом на границу раздела внедрённого в подложку водорода. В ходе статистической обработки микроинтерферограмм поверхности плёнки проведен расчёт силовой и энергетической характеристик адгезии плёнок к подложкам, а также получено уравнение кинетики роста пузыря на границе раздела и проделана оценка газокинетических характеристик. Досліджено вплив опромінення протонами на газовиділення в тонкоплівковій системі. З’ясовано, що протонне опромінення ініціює утворення на границі розподілу плівка-підкладинка дрібних сферичних утворень, розміри яких зростають зі зростанням дози. Це пояснюється виходом на границю розподілу водню, прониклого в підкладинку. Статистична обробка мікро- інтерферограм поверхні плівки дозволила розрахувати силову та енергетичну характеристики адгезії плівок до підкладинок, а також отримати рівняння кінетики росту пузиря на границі розподілу та зробити оцінку газокінетичних характеристик. The processes of the stimulated gas release and gas blister growth are investigated at an interface of thin-film systems. The relationship of these processes to the adhesion of a system is established. A method to determine the adhesion and to compute the adhesion characteristics in the film-substrate system is described. Using the results of this study carried out a series of practical approaches is proposed to measure the adhesion of thin films to substrates with the method of stimulated gas release.