Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении
Loading...
Files
Date
Authors
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина
Abstract
Исследована зависимость удельной электропроводности монокристаллов KD2PO4 (DKDP) от дозы gamma-облучения. Установлено, что в интервале доз 3.0 102ч2.8 104 Гр происходит экспоненциальное уменьшение электропроводности. Температурные зависимости электропроводности подчиняются экспоненциальному закону. Определены значения предэкспоненциального фактора и энергии активации электропроводности для кристаллов, облучѐнных различными дозами. Анализ дозовых и температурных зависимостей показывает, что радиационно-индуцированное уменьшение величины электропроводности связано с уменьшением концентрации L-дефектов в кристаллах. Изменение концентрации происходит в соответствии с законом кинетики первого порядка. Обсуждаются возможные механизмы изменения концентрации L-дефектов при gamma-облучении кристаллов.
Description
Citation
Вестник
