Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина
Анотація
Исследована зависимость удельной электропроводности монокристаллов KD2PO4 (DKDP) от дозы gamma-облучения. Установлено, что в интервале доз 3.0 102ч2.8 104 Гр происходит экспоненциальное уменьшение электропроводности. Температурные зависимости электропроводности подчиняются экспоненциальному закону. Определены значения предэкспоненциального фактора и энергии активации электропроводности для кристаллов, облучѐнных различными дозами. Анализ дозовых и температурных зависимостей показывает, что радиационно-индуцированное уменьшение величины электропроводности связано с уменьшением концентрации L-дефектов в кристаллах. Изменение концентрации происходит в соответствии с законом кинетики первого порядка. Обсуждаются возможные механизмы изменения концентрации L-дефектов при gamma-облучении кристаллов.
Опис
Бібліографічний опис
Вестник