Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении

Loading...
Thumbnail Image

Date

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина

Abstract

Исследована зависимость удельной электропроводности монокристаллов KD2PO4 (DKDP) от дозы gamma-облучения. Установлено, что в интервале доз 3.0 102ч2.8 104 Гр происходит экспоненциальное уменьшение электропроводности. Температурные зависимости электропроводности подчиняются экспоненциальному закону. Определены значения предэкспоненциального фактора и энергии активации электропроводности для кристаллов, облучѐнных различными дозами. Анализ дозовых и температурных зависимостей показывает, что радиационно-индуцированное уменьшение величины электропроводности связано с уменьшением концентрации L-дефектов в кристаллах. Изменение концентрации происходит в соответствии с законом кинетики первого порядка. Обсуждаются возможные механизмы изменения концентрации L-дефектов при gamma-облучении кристаллов.

Description

Citation

Вестник

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By