Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs

Abstract

Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.