Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
Loading...
Files
Date
Authors
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.
Description
Citation
Дукаров С.В. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs / С.В. Дукаров, И.П. Гребенник // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10). – С. 97–103.