Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДукаров, С.В.
dc.contributor.authorГребенник, И.П.
dc.date.accessioned2016-01-24T20:10:43Z
dc.date.available2016-01-24T20:10:43Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractПриводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.ru_RU
dc.identifier.citationДукаров С.В. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs / С.В. Дукаров, И.П. Гребенник // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10). – С. 97–103.ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11149
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectgallium arsenideru_RU
dc.subjectcrystal structureru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleФазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAsru_RU
dc.title.alternativePhase formation in Ni/GaAs thin film systemru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VANT1999.pdf
Розмір:
664.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Наукові роботи. Фізичний факультет