Особенности структуры нанометрических поверхностных слоев графита
Loading...
Date
Authors
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна
Abstract
Представлены результаты исследования поверхности графита с помощью сканирующей туннельной электронной микроскопии и компьютерного моделирования структуры ячеек моноатомных поверхностных слоев. Моделирование проведено на основе разработанной техники секционирования полученных экспериментальных значений поверхностной электронной плотности. Обнаружены структурные особенности в поверхностных ячейках графита, связанные с влиянием вторых и третьих ближайших соседей атомов углерода.
The results of research of graphite surface by scanning tunneling electron microscopy and by computer simulation of cell structure of monoatomic surface layers are presented. Simulation was carried on the base of created sectioning technique of experimental values of surface electron density. Thе structure features in graphite surface cells which connected with influence of second and third neighbors carbon atoms was found. Представлені результати дослідження поверхні графіту за допомогою скануючої тунельної електронної мікроскопії та комп’ютерного моделювання моно атомних поверхневих шарів. Моделювання проведено на основі розробленої техніки секціонування отриманих експериментальних даних поверхневої електронної щільності. Знайдені структурні особливості в поверхневих гратках графіту, які пов’язані з впливом других та третіх сусідів атомів вуглецю.
Description
Citation
Кириченко В.Г. Особенности структуры нанометрических поверхностных слоев графита / В.Г. Кириченко, Е.С. Мельникова // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2009. – №880. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 4(44). – С. 103 - 108
