Характеристики шумових діодів з катодним статичним доменом на основі нітридних варізонних напівпровідників
| dc.contributor.author | Німченко, Андрій Олександрович | |
| dc.contributor.author | Nimchenko, A. O. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-23T09:25:31Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description | Керівник роботи: Приходько Кирило Геннадійович, кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри фізичної та біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій | |
| dc.description.abstract | Методи дослідження: моделювання кінетичних процесів в напівпровідниках методом Монте-Карло, ітераційний багатосітковий метод розв’язання рівняння Пуассона та теплопровідності, спектральний аналіз методом Блекмана-Тьюкі. Результати дослідження: Отримано енергетичні, статичні та частотні характеристики діодів з катодним статичним доменом на основі AlGaN- варізонних напівпровідників за різних постійних температур в інтервалі 300-500K та з урахуванням саморозігріву. Встановлено, що збільшення температури призводить до підвищення генерації шуму на низьких частотах. Отримані результати дослідження можуть бути використані для створення генераторів шумових сигналів в діапазоні до 500 ГГц. | |
| dc.description.abstract | Research methods: modeling of kinetic processes in semiconductors using the Monte Carlo method, iterative multigrid method for solving Poisson's equation and thermal conductivity, spectral analysis using the Blackman–Tukey method. Research results: The energy, static, and frequency characteristics of cathode static domain diodes based on AlGaN graded-gap semiconductors were obtained at different constant temperatures in the range of 300–500 K and taking into account self-heating. It was found that an increase in temperature leads to an increase in noise generation at low frequencies. The results of the study can be used to create noise signal generators in the range up to 500 GHz. | |
| dc.identifier.citation | Німченко, Андрій Олександрович. Характеристики шумових діодів з катодним статичним доменом на основі нітридних варізонних напівпровідників : кваліфікаційна робота другого (магістерського) рівня вищої освіти : спеціальність 176 Мікро- та наносистемна техніка : освітньо-професійна програма «Фізична та біомедична електроніка» / А. О. Німченко ; кер. роботи К. Г. Приходько. – Харків : Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2025. – 54 с. | |
| dc.identifier.uri | https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/24374 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Харків : Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна | |
| dc.subject | NATURAL SCIENCES::Physics | |
| dc.subject | катодний статичний домен | |
| dc.subject | варізонний шар | |
| dc.subject | молярна частка | |
| dc.subject | ударна іонізація | |
| dc.subject | температура | |
| dc.subject | саморозігрів | |
| dc.subject | спектральна щільність потужності шуму | |
| dc.subject | cathode static domain | |
| dc.subject | graded-gap layer | |
| dc.subject | molar fraction | |
| dc.subject | impact ionization | |
| dc.subject | temperature | |
| dc.subject | self-heating | |
| dc.subject | spectral noise power density | |
| dc.title | Характеристики шумових діодів з катодним статичним доменом на основі нітридних варізонних напівпровідників | |
| dc.title.alternative | The characteristics of noise cathode static domain diodes based on nitride graded-gap semiconductor | |
| dc.type | Other |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Німченко.pdf
- Розмір:
- 3.62 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.17 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис:
