Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
Loading...
Files
Date
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
Description
Citation
Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.