Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
Файли
Дата
1992
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
Опис
Ключові слова
Thin films, gallium arsenide, crystal structure, Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Бібліографічний опис
Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.