Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГладких, Н.Т.
dc.contributor.authorГребенник, И.П.
dc.contributor.authorДукаров, С.В.
dc.contributor.authorЗото, М.С.
dc.contributor.authorСорокина, И.В.
dc.date.accessioned2016-01-14T17:04:33Z
dc.date.available2016-01-14T17:04:33Z
dc.date.issued1992
dc.description.abstractПриводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.ru_RU
dc.identifier.citationГладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11126
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectgallium arsenideru_RU
dc.subjectcrystal structureru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleЭлектронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAsru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
MF1992.pdf
Розмір:
368.87 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Наукові роботи. Фізичний факультет