Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПрохоров, Э.Д.
dc.contributor.authorБоцула, О.В.
dc.contributor.authorКлименко, О.А.
dc.date.accessioned2012-12-02T15:46:06Z
dc.date.available2012-12-02T15:46:06Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractРассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
dc.identifier.citationВестник
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7152
dc.language.isoru
dc.publisherХарьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
dc.relation.ispartofseriesРадиофизика и Электроника;966
dc.subjectотрицательная дифференциальная проводимость
dc.subjectтуннельная граница
dc.subjectдиод
dc.subjectтуннелирование
dc.titleИмпедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
dc.title.alternativeІмпедансний характеристики планарних діодів з тунельними межами на основі GaAs
dc.title.alternativeImpedance characteristics of planar diodes with tunnel boundaries based on GaAs
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
3-Prohorov.pdf
Розмір:
551,31 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
7,9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Наукові роботи. Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем