Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении
dc.contributor.author | Кириченко, В.Г. | |
dc.contributor.author | Коваленко, О.В. | |
dc.date.accessioned | 2011-10-10T07:46:56Z | |
dc.date.available | 2011-10-10T07:46:56Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследования процессов формирования пленок гексаферрита Ва и Bi-Gd граната методами ионно-лучевого осаждения на подложки галлий - гадолиниевого граната. В результате ионно-лучевого осаждения по данным мессбауэровской спектроскопии конверсионных электронов на поверхности подложек образуются аморфные парамагнитные пленки гексаферрита Ва, которые переходят в магнитоупорядоченное состояние при термическом отжиге. Фазовый состав неоднороден по толщине пленок. Осаждение пленок висмут - гадолиниевого граната также связано с образованием аморфных парамагнитных пленок и последующей кристаллизацией магнитоупорядоченных пленок при термическом отжиге и ионной имплантации. Наиболее эффективна ионная имплантация ионов Не+ с энергией 26 кэВ и дозой Ф=2,25∙1014 см-2, которая приводит к повороту оси легкого намагничивания в плоскость пленки.The results of research of processes of forming of films of Ba – hexaferrite and Bi-Gd garnet obtained by the methods of ion-beam deposition on of gadolinium- gallium garnets are presented. As a result of an ion-beam deposition from data of Mossbauer spectroscopy of conversion electrons the amorphous paramagnetic films of Ba – hexaferrite are formed. Phase composition is inhomogeneous on the thickness of tapes. The ion-beam deposition Ba – hexaferrite films resulted to formation of amorphous paramagnetic layers which transformed into magnetic ordering state under thermal ageing. The deposition of bismuth – gadolinium garnet films also conducted with formation of amorphous paramagnetic layers and later crystallization of magnetic ordering films under thermal ageing and ion implantation. The ion implantation of Не+ ions with energy E=26 keV and fluence Ф=2,25∙1014 сm-2 is the most effective and therefore rotated the axis of easy magnetization into film plane. Представлені результати дослідження процесів формування плівок гексаферриту Ва і Bi-Gd гранату методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. В результаті іонно-променевого осадження за даними месбауерівської спектроскопії конверсійних електронів на поверхні підкладок утворюються аморфні парамагнітні плівки гексаферриту Ва, котрі переходять у магнітно впорядкований стан при термічному відпалі. Фазовий склад неоднорідний по товщині плівок. Осадження плівок вісмут- гадолиниевого граната також пов'язане з утворенням аморфних парамагнітних плівок і наступною кристалізацією магнітовпорядкованих плівок при термічному відпалі й іонної імплантації. Найбільш ефективна іонна імплантація іонів Не+ з енергією 26 кэв і дозою Ф=2,25∙1014 см-2, що приводить до повороту осі легкого намагнічювання у площину плівки. | en |
dc.identifier.citation | Кириченко В.Г. Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении / В.Г. Кириченко, О.В. Коваленко // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2010. – № 899. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(46). – С. 93 - 98 | en |
dc.identifier.uri | https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/4733 | |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна | en |
dc.subject | тонкие пленки | en |
dc.subject | элементный и фазовый состав | en |
dc.subject | гексаферрит Ва | en |
dc.subject | Bi-Gd гранат | en |
dc.subject | спектроскопия | en |
dc.subject | thin films | en |
dc.subject | conversion electron Mossbauer spectroscopy | en |
dc.subject | spectrometry of Rutherford backscattering | en |
dc.subject | element and phase composition | en |
dc.title | Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении | en |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.9 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: