Кінетичні властивості двовимірних напівпровідникових матеріалів

Abstract

В роботі розглянуто ефекти, пов’язані з електронним транспортом в моношарових напівпровідниках з використанням методу Монте-Карло. Цим методом досліджено фізичні процесив у планарних напівпровідникових структурах на основі моношарів . В рамках запропонованої моделі досліджено планарні діоди з гетеропереходом 2D MoS2 – 3D GaN та визначено особливості формування характеристик таких структур в залежності від розмірів, положення елементів моношару та електрофізичних параметрів матеріалів. Показано, що в планарних GaN діодах, що місять гетероперехід MoS2 струм якісно не змінюється на відміну від діодів з суцільною бічною границею MoS2 характеристики якої визначаються переважно концентраціями легуючих домішок в матеріалах.In this article considers the effects associated with electronic transport in monolayer semiconductors using the Monte Carlo method. This method investigates physical processes in planar semiconductor structures based on monolayers. Within the framework of the proposed model, planar diodes with a 2D MoS2 – 3D GaN heterojunction were investigated and the peculiarities of the formation of the characteristics of such structures were determined depending on the size, position of the monolayer elements and electrophysical parameters of the materials. It`s shown that in planar GaN diodes containing a MoS2 heterojunction, the current does not change qualitatively, in contrast to diodes with a continuous MoS2 side border, the characteristics of which are mainly determined by the concentrations of alloying impurities in the materials.