Моделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-me

Abstract

В работе рассмотрены особенности формирования барьерных контактов на высокоомном полупроводниковом соединении CdZnTe p-типа для создания детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Предложена эквивалентная электрическая схема структуры металл-полупроводник-металл, позволяющая моделировать различные типы и варианты контактов. На основе структур Au-CdZnTe-In созданы детекторы для регистрации низкоэнергетического гамма-излучения, характеризующиеся малыми токами утечки ~ 1,5 нА при напряжении смещения 100 В. The features of barrier contact forming on high-resistance semiconductor compound CdZnTe p-type for making detectors X- and gamma-irradiations were reviewed. Efficiencies of gamma-irradiation registration in a wide power range by CdZnTe crystals of different thickness were estimated. The equivalent circuitry of a MSM structure is offered, allowing to simulate various types and variants of electrodes. On the basis of Au-CdZnTe-In structure was created detectors for detecting low-energy gamma-irradiation, characterized by small leakage current 1,5 nA at a bias voltage 100 V.