Теплові властивості планарних діодів на основі GaN

Abstract

Методи дослідження: метод Монте-Карло для моделювання динаміки носіїв заряду та 2D-моделювання режимів постійного й змінного струму. Результати дослідження: досліджено генераційні властивості планарного GaN-діода, наведено залежності щільності струму та ефективності коливань від зміщення. Проаналізовано вплив самонагрівання та ударної іонізації на параметри діода. Визначено максимальну температуру в активній області та запропоновано використання одношарового h-BN як теплорозподільника на верхній поверхні діода. Показано, що застосування SL h-BN дозволяє знизити температуру приблизно на 150 К.

Research results: the generation properties of a planar GaN diode were studied, and the dependencies of current density and oscillation efficiency on displacement were presented. The influence of self-heating and impact ionization on the diode parameters is analyzed. The maximum temperature in the active region is determined, and the use of single-layer h-BN as a heat spreader on the upper surface of the diode is proposed. It is shown that the use of SL h-BN allows the temperature to be reduced by approximately 150 K.