Перегляд за Автор "Grebennik, I.P."

Зараз показуємо 1 - 4 з 4

Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films
(STC “Institute for Single Crystals”, 1998) Grebennik, I.P.; Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.
The temperature and structure state of substrate (NaCl poly- and single crystals) are shown to influence the structure of phases formed as a result of interaction between Ni and GaAs layers. In films on polycrystal substrates, polycrystal phases with structures similar to the γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4 phases in Ni-Ga and Ni-As systems are formed besides the amorphous one. Single crystal substrate exerts an orienting influence resulting in the energetically favourable growth of the hexagonal phase of the triple system with parameters aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Показано, что температура и структурное состояние подложки (поли- и монокристаллов NaCl) оказывает влияние на структуру фаз, образующихся при взаимодействии слоев Ni и GaAs. На поликристаллических подложках в пленках, наряду с аморфной, образуются поликристаллические фазы, структура которых подобна фазам γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4, в системах Ni-Ga, Ni-As. Монокристаллическая подложка оказывает ориентирующее действе и приводит к энергетически более выгодному росту гексагональной фазы тройной системы с параметрами aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'.
Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films
(1998) Gladkikh, N.T.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.
The results of an electronographic investigation of the Ni—GaAs double-layer films phase composition depending on temperature at condensation of Ni at GaAs are presented. The structure and number of the phases being formed have been shown to depend both on ther-mal conditions at interaction of the Ni and GaAs layers and on the Ni to GaAs layer mass ratio: mNi//mGaAs = (0.5; 1.2).
Features of gallium spreading over surfaces of Ag - Au - Ga thin films
(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Andronov, V.M.; Dukarov, S.V.; Grebennik, I.P.
Linear spread of gallium over thin films of Ag-Au-Ga ternary alloys with continously varying concentrations along quasi-binary sections of the ternary diagram has been studied. The observed concentration dependence of the spread zone size is attributed to structural changes occurring in alloys and resulting in an unmonotonous dependence of the spread motive force on the alloy composition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Исследовано линейное растекание галлия по поверхности тонких пленок тройных сплавов серебро-золото-галлий с непрерывно изменяющейся концентрацией вдоль квазибинарных сечений тройной диаграммы. Обнаруженная немотонная зависимость размера зоны растекания от концентрации объясняется влиянием происходящих в сплавах структурных изменений, приводящих к немонотонной зависимости движущей силы растекания от состава сплава.
Interaction in Ga - AgAu thin film system
(STC “Institute for Single Crystals”, 1999) Andronov, V.M.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.
Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . . Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).