Кваліфікаційні випускні роботи здобувачів вищої освіти. Навчально-науковий інститут комп’ютерної фізики та енергетики
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/14230
Переглянути
1 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив покриттів на зниження рівня плескань рідини в резервуарах при короткочасних імпульсних навантаженнях(Харків : Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, 2024) Міщенко, Максим Сергійович; Mischenko, MaksymРозглянуто коливання рідини в жорстких круглих циліндричних оболонках з внутрішніми гнучкими мембранами або покритими мембранами. Рідина в ємності вважається ідеальною і нестисливою, а рух рідини безобертовим. У нижче сформульованих припущеннях вводиться потенціал швидкості; воно задовольняє рівняння Лапласа. Сформульовано крайову задачу для потенціалу швидкості. Для отримання граничних умов на вільній поверхні рідини враховують прогин мембрани та дотримуються рівності нормальних складових швидкостей рідини та мембрани. Передбачається, що нестислива і нев'язка рідина здійснює безобертальний рух в області рідини, розділеної на дві підобласті внутрішньою гнучкою мембраною, яка встановлена на заданій висоті. Отримано аналітичний розв’язок двох крайових задач для невідомих потенціалу швидкості та прогину мембрани у вигляді ряду Фур’є-Бесселя з коефіцієнтами, що залежать від невідомої частоти. Задовольняючи граничні умови, отримуємо систему однорідних алгебраїчних рівнянь. Умова нетривіального розв’язку цієї системи дає нелінійне рівняння для обчислення частот. Досліджено зв'язані коливання мембрани і рідини в циліндричних резервуарах. Проведено порівняння результатів, отриманих за допомогою аналітичного підходу, з результатами, отриманими за допомогою граничного та методу скінченних елементів. Як випливає з чисельного моделювання, якщо мембрана встановлена всередині циліндра, то найважливішим параметром, що впливає на результат, є висота установки мембрани. Якщо мембрана встановлена на значній відстані від вільної поверхні, то частота плескання практично не змінюється, а точніше трохи збільшується. Виявлено залежності частот від рівня наповнення.