Наукові роботи. Фізичний факультет
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/30
Переглянути
22 результатів
Результати пошуку
Документ Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi(2004) Богатыренко, С.И.; Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Крышталь, А.П.Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке. . . . . . . . . Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системі знижується зі зменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці. . . . . . . . . The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.Документ Размерный эффект при смачивании упругодеформируемой подложки(ХНУ имени В. Н. Каразина, 1998) Бородин, А.А.; Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.Рассматривается уменьшение краевого угла смачивания, обусловленное деформации подложки и размерными зависимостями удельных энергий поверхностей раздела жидкость-пар и жидкость-подложка, которые объясняются увеличением вклада граничного слоя по сравнению с объемом капли при уменьшении ее размера. На примере системы Au/C показано, что вклад деформации подложки в изменение краевого угла является незначительным. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Розглядається зменшення крайового кута змочування, обумовлене деформацією підкладки і розмірними залежностями енергій поверхнь розділу рідина-пара та рідина- підкладка, які пояснюються збільшенням вкладу перехідного шару порівняно з об'ємом краплі при зменшенні її розміру. На прикладі системи Au/C показано, що вклад деформації підкладки у зміну крайового кута є незначним. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A wetting angle decrease due both to elastic deformation of a substrate and size dependences of specific energies of liquid vapour and liquid substrate interfaces is considered. These dependences are attributed to the increase of the contribution introduced by the surface layer as compared to the drop volume one, the drop size being decreased. For Au/C system tne substrate deformation is shown to make a small contribution to the wetting angle variation.Документ Исследование взаимодействия тонких двухслойных пленок никель–арсенид галлия(1998) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni-GaAs в зависимости от температуры при конденсации никеля на арсенид галлия. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при конденсации слоев и соотношения между их толщинами, так и от структурного состояния подложки.Документ Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs(1997) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni— GaAs в зависимости от температуры при конденсации Ni на GaAs. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при взаимодействии слоев Ni и GaAs, так и от соотношения между массами слоев Ni и GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Наводяться результати електронографічного дослідження фазового складу двошарових плівок Ni— GaAs в залежності від температури при конденсації Ni на GaAs. Покачано, що структура та число фаз, що утворюються, залежать як від температурних умов при взаємодії шарів Ni і GaAs, так і від співвідношення між масами шарів Ni і GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . The electronographic studies of double layer Ni — GaAs films’ phase content against the temperature with Ni layer deposited on GaAs substrate are given. The structure and the number of phases formed are shown to be dependent both on the temperature conditions under which Ni and GaAs layers interact and on the Ni to GaAs mass ratio: (0.5; 1; 2).Документ О связи размера островков с массовой толщиной пленки(ИПМ НАНУ, 1993) Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.Приводятся результаты исследовании распределения микрочастиц по размерам в островковых пленках галлия различной массовой толщины на аморфной углеродной подложке. На основании обобщения полученных результатов построена диаграмма, отражающая закономерности изменения количества (или суммарного объема) островков фиксированного размера с увеличением массовой толщины пленки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Distribution of microparticles by sizes in the isle films of gallium with different mass thickness on amorphous carbon substrate has been studied. Basing on generalization of the obtained results a diagram is constructed which reflects regularities of the change in quantity (or total volume) of the isles of fixed dimension with the increased mass thickness of the film.Документ Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs(1992) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.; Зото, М.С.; Сорокина, И.В.Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.Документ Смачивание и фазообразование в системе Pb/Ni/GaAs(1992) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.Исследовано смачивание свинцом пленок никеля переменной толщины на поверхности арсенида галлияДокумент Температурная зависимость смачивания в островковых конденсатах(ИПМ НАНУ, 1988) Гладких, Н.Т.; Чижик, С.П.; Ларин, В.И.; Григорьева, Л.К.; Дукаров, С.В.; Северченко, И.В.; Васильченко, Е.В.Приводятся результаты экспериментальных исследований температурной зависимости краевого угла смачивания островковыми конденсатами олова аморфных углеродных пленок в широком интервале температур (300—650 К), перекрывающем область переохлажденного состояния металла. Установлено, что уменьшение давления остаточных газов в процессе препарирования пленок приводит к смещению температурной зависимости смачивания в область меньших значений углов. С увеличением степени переохлаждения жидкого металла наблюдается уменьшение краевого угла и вблизи максимальных переохлаждений (примерно 350 К) в конденсатах, полученных в вакууме 10^-6 Па, обнаружен переход от несмачивания к смачиванию.Документ Размерный эффект при смачивании островковыми конденсатами металлов свободных углеродных пленок(ИПМ НАНУ, 1987) Гладких, Н.Т.; Ларин, В.И.; Дукаров, С.В.Приводятся результаты изучения смачивания микрокаплями олова, свинца и индия (размер 30—500 нм) свободных аморфных углеродных пленок различной толщины (4Документ Определение смачиваемости островковыми пленками различных подложек(ИПМ НАНУ, 1985) Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Степанова, С.В.; Мильто, Л.И.Изложены методы определения краевых углов смачивания для частиц микронных размеров, основанные на использовании оптической микроскопии. Приведены результаты изучения смачивания для тройных систем жидкая островковая пленка — пленка переменной толщины — монокристалл (РЬ—Ni—NaCl, Sn—С—КСl). Показано, что смачивание зависит от толщины промежуточного слоя.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »