Наукові роботи. Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/1138
Переглянути
7 результатів
Результати пошуку
Документ Катодный статический домен в диоде с междолинным переносом электронов(Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2008) Боцула, О.В.; Павленко, Д.В.; Прохоров, Э.Д.Документ Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах(Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2008) Боцула, О.В.; Павленко, Д.В.; Прохоров, Э.Д.Документ Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs(Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.Документ Влияние отрицательной дифференциальной проводимости и инерционности на коэффициент преобразования частоты диодами на основе GAAS(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Исследуется коэффициент преобразования частоты (КПЧ) диодами с междолинным переносом электронов на основе GaAs в широком диапазоне частот. Показано, что при пороговых напряжениях КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) больше КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) (отсутствие ОДП) в 5 раз. При дальнейшем увеличении напряжения отношение КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) к КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) уменьшается (при 10 - 12 кВ/см составляет порядка 2, а при 20 - 30 кВ/см отношения КПЧ близко к единице). Учтена инерционность перераспределения электронов между долинами зоны проводимости GaAs. Показано, что преобразование частоты на проводимости диодов из GaAs возможно на частотах, превосходящих максимальную частоту генерации диодов в режиме однородного поля.Документ Определение скорости роста монокристаллов сплавов висмут - сурьма методом зонной перекристаллизации(Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина, 2011) Плаксий, В.Т.; Архипов, А.В.; Тищенко, А.С.; Камышанова, Т.И.; Прохоров, Э.Д.; Дядченко, А.В.; Чуешков, Д.П.Рассматривается проблема выращивания совершенных монокристаллов сплавов висмут-сурьма с равномерным распределением атомов Sb по кристаллу методом зонной перекристаллизации. Получено выражение для градинета температуры в расплаве и рапределение температуры в любой точке фронта кристаллизации. Оценена величина максимальной скорости роста монокристаллов BiSb и сделан вывод о необходимости их роста со скоростью не более 1 мм/час, при которой не происходит концентрационного переохлаждения, ведущего к неоднородной или дендритной структуре. Показано, что для раствора данного состава (при = const) переохлаждения можно избежать либо увеличением градиента температуры в жидкой фазе, либо уменьшением скорости роста.Документ Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs(Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина, 2011) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.Документ Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2009) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Грищенко, И.А.Рассматривается умножение частоты при ударной ионизации в диодах с МПЭ на основе InN, AlN.