Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
Анотація
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
Опис
Бібліографічний опис
Вестник