Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина

Анотація

Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.

Опис

Бібліографічний опис

Вестник

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в