Дефектність кристалічної структури, морфологія площин двійникування і резистивні властивості ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 у нормальному стані

dc.contributor.authorЗавгородній, А.А.
dc.contributor.authorОболенський, М.О.
dc.contributor.authorВовк, Р.В.
dc.contributor.authorГулатіс, І.Л.
dc.contributor.authorСамойлов, О.В.
dc.contributor.authorБондаренко, О.В.
dc.date.accessioned2011-10-18T06:56:07Z
dc.date.available2011-10-18T06:56:07Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractВ роботі проведено комплексне дослідження структурних і електрорезистивних параметрів ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 при заміні ітрія на гольмій і слабкому (до 5 % ) допуванні алюмінієм. Встановлено, що, як і у випадку бездомішкових зразків, структура монокристалів, після безпосереднього вирощування з розчин-розплаву, має структуру близьку до тетрагональної. В процесі додаткового насичення киснем спостерігається сегнетоеластичний перехід до орторомбічної фази, що супроводжується утворенням доменної двійникової структури. Межі двійників і домішки алюмінію є ефективними центрами розсіювання нормальних носіїв. Твідова структура при концентрації алюмінію y≤0,5 не утворюється. In present work of the structural and electroresistive parameters of HTSC 1-2-3 single crystals at replacement of yttrium on holmium and weak (to 5 % ) aluminium dope are investigated. It is shown that, as well as in the case of pure samples, the structure of crystals, after growing from solution-fusion, has a structure near to tetragonal. In the process of additional satiation oxygen is segnetoelastic transition to the orthorhombic phase, that is accompanied by formation of domain tween boundaries structure. The scopes of twins and admixtures of aluminium are the effective centers of dispersion of normal carriers. Tweed structure during concentration of aluminium in y≤0.5 does not appear.en
dc.identifier.citationДефектність кристалічної структури, морфологія площин двійникування і резистивні властивості ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 у нормальному стані / А.А. Завгородній, М.О. Оболенський, Р.В. Вовк, І.Л. Гулатіс, О.В. Самойлов, О.В. Бондаренко // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2009. – №845. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 1(41). – С. 82 - 86en
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/4814
dc.language.isouken
dc.publisherХаркiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiнаen
dc.subjectHTSCen
dc.subjectRеBa2Cu3O7-δ single crystalsen
dc.subjecttween boundariesen
dc.subjectdopeen
dc.subjectnormal carriersen
dc.subjectВТНПen
dc.subjectмонокристали RеBa2Cu3O7-δen
dc.subjectмежі двійниківen
dc.subjectдопуванняen
dc.subjectнормальні носіїen
dc.titleДефектність кристалічної структури, морфологія площин двійникування і резистивні властивості ВТНП-монокристалів системи 1-2-3 у нормальному станіen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
845_1(41)_09_p82-86.pdf
Розмір:
731.94 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: