Rf discharge dissociative mode in NF3 and SiH4

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS

Анотація

This paper shows that the rf capacitive discharge in NF3 and SiH4 can burn in three possible modes: weak-current α-mode, strong-current γ -mode and dissociative δ -mode. This new dissociative δ-mode is characterized by a high dissociation degree of gas molecules (actually up to 100% in NF3 and up to 70% in SiH4), higher resistivity and a large discharge current. On increasing rf voltage first we may observe a weak-current α-mode (at low NF3 pressure the α-mode is absent). At rather high rf voltage when a sufficiently large number of high energy electrons appear in the discharge, an intense dissociation of gas molecules via electron impact begins, and the discharge experiences a transition to the dissociative δ-mode. The dissociation products of NF3 and SiH4 molecules possess lower ionization potentials, and they form an easily ionized admixture to the main gas. At higher rf voltages when near-electrode sheaths are broken down, the discharge experiences a transition to the strong-current γ -mode.

Опис

Ключові слова

Бібліографічний опис

J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 6631–6640

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в