g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system

Abstract

When GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . .

При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ.