g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system

dc.contributor.authorDukarov, S.V.
dc.date.accessioned2015-12-12T15:35:26Z
dc.date.available2015-12-12T15:35:26Z
dc.date.issued1997
dc.description.abstractWhen GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . . При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ.ru_RU
dc.identifier.citationDukarov S.V. g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system // Functional materials. – 1997. – V.4, № 3. – P. 355–358ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11050
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherSTC “Institute for Single Crystals”ru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectgallium arsenideru_RU
dc.subjectcrystal structureru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleg-phase structure in Ni-Ga-As thin film systemru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
FM1997-2.pdf
Розмір:
719.53 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: