Наукові роботи. Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем
Постійне посилання колекціїhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/1138
Переглянути
8 результатів
Результати пошуку
Документ Катодный статический домен в диоде с междолинным переносом электронов(Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2008) Боцула, О.В.; Павленко, Д.В.; Прохоров, Э.Д.Документ Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах(Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна, 2008) Боцула, О.В.; Павленко, Д.В.; Прохоров, Э.Д.Документ Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs(Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.Документ Частотные свойства междолинного переноса электронов в InN(Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина, 2010) Боцула, О.В.Рассматриваются частотные и энергетические характеристики диодов на основе двойного нитридного соединения InN. Частотные свойства InN определяются методом Монте-Карло с учетом всех актуальных механизмов рассеяния электронов в широком диапазоне частот, в котором справедливо выполнение условий для реализации режима с ограничением накопления объёмного заряда (ОНОЗ). Приводятся результаты расчета статических характеристик и расчеты эффективности генерации. Определены частотные пределы эффективности генерации рассматриваемого соединения. Определен диапазон частот, при работе в котором инерционностью перераспределения носителей заряда можно пренебречь.Документ Частотные свойства междолинного переноса электронов в ALN(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2010) Боцула, О.В.Рассматриваются частотные свойства междолинного переноса электронов (МПЭ) двойного нитридного соединениях AlN. Частотные свойства AlN определяются методом Монте-Карло с учетом всех актуальных механизмов рассеяния электронов в широком диапазоне частот, в котором справедливо выполнение условий для реализации режима с ограничением накопления объѐмного заряда (ОНОЗ). Приводятся результаты расчета статических характеристик и расчеты эффективности генерации. Определены частотные пределы эффективности генерации рассматриваемого соединения. Определен диапазон частот, при работе в котором инерционностью перераспределения носителей заряда можно пренебречь.Документ Влияние отрицательной дифференциальной проводимости и инерционности на коэффициент преобразования частоты диодами на основе GAAS(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2010) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Исследуется коэффициент преобразования частоты (КПЧ) диодами с междолинным переносом электронов на основе GaAs в широком диапазоне частот. Показано, что при пороговых напряжениях КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) больше КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) (отсутствие ОДП) в 5 раз. При дальнейшем увеличении напряжения отношение КПЧ при подвижности 8000 см2/(В·с) к КПЧ при подвижности 1000 см2/(В·с) уменьшается (при 10 - 12 кВ/см составляет порядка 2, а при 20 - 30 кВ/см отношения КПЧ близко к единице). Учтена инерционность перераспределения электронов между долинами зоны проводимости GaAs. Показано, что преобразование частоты на проводимости диодов из GaAs возможно на частотах, превосходящих максимальную частоту генерации диодов в режиме однородного поля.Документ Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs(Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина, 2011) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.Документ Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN(Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина, 2009) Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Грищенко, И.А.Рассматривается умножение частоты при ударной ионизации в диодах с МПЭ на основе InN, AlN.