Фізичний факультет
Постійне посилання на розділhttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/28
Переглянути
21 результатів
Результати пошуку
Документ Stability limits of the liquid phase in the layered Mo/Pb/Mo, Mo/Bi/Mo and Mo/In/Mo film systems(2016) Petrushenko, S.I.; Dukarov, S.V.; Sukhov, V.N.The results of the study of supercooling of the fusible metals films between the continuous layers of molybdenum during the crystallization are given. Due to an original in situ technique based on the changes of resistance of samples during heating and cooling directly in the vacuum chamber the values of supercooling in Mo/Pb/Mo, Mo/Bi/Mo, Mo/In/Mo films are determined and the influence of the morphological structure of the bismuth inclusions on the temperature and nature of its supercooled melt crystallization has been found. The substrate temperature change during the condensation of samples, accompanied by a corresponding change in their microstructure, allows realizing both avalanche and diffuse crystallization and changing of supercooling value in the range of 60 to 180 K in Mo/Bi/Mo films.Документ In situ research on temperature dependence of the lattice parameters of fusible metals in thin Cu-Pb and Cu-Bi films(STC “Institute for Single Crystals”, 2016) Dukarov, S.V.; Petrushenko, S.I.; Sukhov, V.N.; Skryl, O.I.The results of in situ electron diffraction study of the temperature dependence of the lattice parameter of the fusible component in the Cu-Pb and Cu-Bi two-layer films are presented. It was found that at room temperature, the parameters of the Pb and Bi crystal lattices are agreed with tabular data, however, with temperature increasing one can observe the deviation from the values corresponding to bulk samples. This indicates a significant increase in the solubility of the components in the films under study. In the Cu-Pb films according to the estimation made by assuming a linear dependence of the lattice parameter of the solid solution from concentration, copper solubility in the solid lead near the eutectic temperature is about 0.8 at%, which is much greater than the value known for bulk samplesДокумент Supercooling during crystallization of fusible metal particles in multilayer “carbon-metal-carbon” films(National Science Center "Kharkov Institute of Physics and Technology", 2016) Petrushenko, S.I.; Dukarov, S.V.; Sukhov, V.N.The results of studies of phase melting-crystallization transitions in thin films of fusible metals between thicker layers of amorphous carbon are given. It has been found that, due to poor wetting in contact systems under study, thin layers of fusible metals decompose into separate islands while first heated. Such films are a model of the system “fusible particles in the refractory matrix”. Using two independent in situ techniques (electrical resistance measuring and electron-diffraction studies during heating and cooling) values of supercooling during crystallization of liquid phase nanoparticles in multilayer C-Bi-C, C-Pb-C, C-Sn-C films, equal to 115, 135 and 160 K, respectively have been obtained. - - - - - - - - - - - Приводятся результаты исследований фазовых переходов плавлениекристаллизация в тонких пленках легкоплавких металлов, находящихся между более толстыми слоями аморфного углерода. Установлено, что вследствие плохого смачивания в исследуемых контактных системах уже при первом нагреве тонкие слои легкоплавких металлов распадаются на отдельные островки. Такие пленки представляют собой модель системы «легкоплавкие частицы в тугоплавкой матрице». С помощью двух независимых in situ методик (измерения электросопротивления и электронографических исследований в процессе нагрева и охлаждения) получены величины переохлаждения при кристаллизации наночастиц жидкой фазы в многослойных пленках (C-Bi-C, C-Pb-C, C-Sn-C), равные 115, 135 и 160 K соответственно.Документ Temperature dependence of surface energy of solids(STC “Institute for Single Crystals”, 1994) Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.; Larin, V.I.The surface energy of a number of solid metals (In, Sn, Bi, Pb and Au) is determined in the temperature range (0.6-1)Ts from the size dependence of melting temperature for small particles of these metals. A nonlinear decreasing of surface energy is established in the region of premelting temperatures that is attributed to the increase of the vacancy concentration. The obtained data are compared with available ones for massive samples. . . . . . . . . . . . . . . . . . Определена поверхностная энергия металлов In, Sn, Bi, Pb и Au в твердой фазе в интервале температур (0.6-1)Ts по данным зависимости температуры плавления малых частиц этих металлов от их размера. Установлено нелинейное уменьшение поверхностной энергии я области яредллавильных температур, которое объясняется увеличением концентрации вакансий. Проведено сравнение полученных результатов с имеющимися данными для массивных образцов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Визначено поверхневу енергію металів In, Sn, Bi, Pb та Au в твердій фазі в інтервалі температур (0.6-1)Ts за даними залежності температури плавлення малих частинок цих металів від їх розміру. Встановлено нелінійне зменшення поверхневої енергії в області передплавильних температур, яке пояснюється збільшенням концентрації вакансій. Проведено порівняння одержаних результатів з наявними даними для масивних зразків.Документ Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films(1998) Gladkikh, N.T.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.The results of an electronographic investigation of the Ni—GaAs double-layer films phase composition depending on temperature at condensation of Ni at GaAs are presented. The structure and number of the phases being formed have been shown to depend both on ther-mal conditions at interaction of the Ni and GaAs layers and on the Ni to GaAs layer mass ratio: mNi//mGaAs = (0.5; 1.2).Документ Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films(STC “Institute for Single Crystals”, 1998) Grebennik, I.P.; Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.The temperature and structure state of substrate (NaCl poly- and single crystals) are shown to influence the structure of phases formed as a result of interaction between Ni and GaAs layers. In films on polycrystal substrates, polycrystal phases with structures similar to the γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4 phases in Ni-Ga and Ni-As systems are formed besides the amorphous one. Single crystal substrate exerts an orienting influence resulting in the energetically favourable growth of the hexagonal phase of the triple system with parameters aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Показано, что температура и структурное состояние подложки (поли- и монокристаллов NaCl) оказывает влияние на структуру фаз, образующихся при взаимодействии слоев Ni и GaAs. На поликристаллических подложках в пленках, наряду с аморфной, образуются поликристаллические фазы, структура которых подобна фазам γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4, в системах Ni-Ga, Ni-As. Монокристаллическая подложка оказывает ориентирующее действе и приводит к энергетически более выгодному росту гексагональной фазы тройной системы с параметрами aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'.Документ g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Dukarov, S.V.When GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . . При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ.Документ Features of gallium spreading over surfaces of Ag - Au - Ga thin films(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Andronov, V.M.; Dukarov, S.V.; Grebennik, I.P.Linear spread of gallium over thin films of Ag-Au-Ga ternary alloys with continously varying concentrations along quasi-binary sections of the ternary diagram has been studied. The observed concentration dependence of the spread zone size is attributed to structural changes occurring in alloys and resulting in an unmonotonous dependence of the spread motive force on the alloy composition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Исследовано линейное растекание галлия по поверхности тонких пленок тройных сплавов серебро-золото-галлий с непрерывно изменяющейся концентрацией вдоль квазибинарных сечений тройной диаграммы. Обнаруженная немотонная зависимость размера зоны растекания от концентрации объясняется влиянием происходящих в сплавах структурных изменений, приводящих к немонотонной зависимости движущей силы растекания от состава сплава.Документ Interaction in Ga - AgAu thin film system(STC “Institute for Single Crystals”, 1999) Andronov, V.M.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . . Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).Документ Lead wetting of thin nickel films deposited onto GaAs(STC “Institute for Single Crystals”, 1996) Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.The wetting of nickel films deposited onto (111) face of GaAs single crystals with island lead condensates has been studied. The wetting angle, θ, is found to depend on the Ni film thickness, t, and to change within the limits defined by wetting of pure GaAs (t = 0, θ ≈ 120°) and compact-state nickel wetting (t > 20 nm, θ ≈ 20°). The change of θ is explained as due to the surface heterogeneity arising as a result of chemical interaction between nickel film and gallium arsenide and of nickel dissolution in the liquid lead. - - - - - - - - - - - - - - - - Изучено смачивание островковыми конденсатами свинца пленок никеля, нанесенных на монокристалл арсенида галлия (грань (111)). Установлено, что краевой угол θ зависит от толщины t пленки Ni и изменяется в крайних пределах, соответствующих смачиванию чистого GaAs (t = 0, θ ≈ 120°) и смачиванию никеля в компактном состоянии (t > 20 nm, θ ≈ 20°). Изменение θ объясняется гетерогенностью смачиваемой поверхности, возникающей в результате химического взаимодействия пленки никеля с арсенидом галлия и растворения никеля в жидком свинце.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »